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专利名称一种低噪声且抗高地弹噪声的输出驱动电路及方法
申请日2018-06-25
申请号/专利号CN201810660099.6
专利权人珠海市一微半导体有限公司
申请人珠海市一微半导体有限公司
发明人/设计人杨秋平
公告日2018-09-04
公告号CN108494394A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开一种低噪声且抗高地弹噪声的输出驱动电路及方法,该电路分为预驱动模块、PMOS驱动模块和NMOS驱动模块。所述PMOS驱动模块与所述预驱动模块连接于所述PMOS输入节点,所述NMOS驱动模块与所述预驱动模块连接于所述NMOS输入节点,使得在所述PMOS输入节点或所述NMOS输入节点输入动态信号时通过动态调节所述输出驱动电路的输出驱动电阻来降低地弹噪声;在所述PMOS输入节点或所述NMOS输入节点输入静态信号时通过提高输出驱动电阻增强抗高地弹噪声效应。相对于现有技术,本发明通过动态调整所述输出驱动电路的输出驱动电阻,降低地弹噪声,同时通过提高静态驱动时的输出电阻,提高抗高地弹噪声效应。
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