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专利名称一种碳化硅MOSFET驱动电路
申请日2018-06-12
申请号/专利号CN201810600993.4
专利权人西北工业大学
申请人西北工业大学
发明人/设计人高田;羊彦;程泽;庄培红
公告日2020-02-14
公告号CN108683327B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明提供了一种碳化硅MOSFET驱动电路,涉及功率变换电路领域,PWM控制电路产生PWM脉冲信号,PWM脉冲信号经过驱动信号放大电路后,经过电阻控制碳化硅MOSFET开关,供电电源输出包括+15V,0V和‑3V直流电压,+15V和‑3V直流电压分别给驱动信号放大电路供电,0V和碳化硅MOSFET的源极连接。本发明利用驱动负电压关断可以减少电力电子变换器中桥臂电路上下管的串扰,避免桥臂直通,提高了碳化硅MOSFET的可靠性;二极管可把栅极电压箝位到安全范围,避免碳化硅MOSFET栅极击穿损坏;电路中利用MOS管M1构成放电回路,加快了碳化硅MOSFET关断速度,提高了碳化硅MOSFET的开关速度,减少了开关损耗。
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