本发明提出了一种基于隧穿场效应晶体管的脉冲神经元电路，属于神经形态计算中脉冲神经元技术领域。该电路包括电容、泄漏与重置管、正反馈管、两级串联的反相器；其中，电容用于模拟生物神经元的细胞膜电容，积累由输入的突触后电流带来的电荷；泄漏与重置管是一个N型TFET器件，为电容上积累的电荷提供泄漏与重置通路；正反馈管是一个P型TFET器件，在第一级反相器的输入接近其逻辑阈值电平时为电容补充电荷；两级串联的反相器由互补TFET构成，起到放大输入端电压变化的作用。本发明与基于传统MOSFET的实现方式相比，具有更低的硬件开销，并且能够有效降低电路每发放一次脉冲的短路能量消耗，使得电路拥有更高的能效。