本发明公开了一种基于CMOS工艺的共源共栅跨阻放大器带宽扩展电路，所述电路为左右完全对称的结构；左右部分的电路均包括：传统的主级共栅放大器、新型共源共栅辅助放大器和末端源跟随器三部分；所述电路采用新型共源共栅结构辅助放大器屏蔽密勒效应；通过并行的PMOS结构为共栅NMOS管提供更大跨导；所述电路通过π型匹配网络屏蔽部分寄生电容，加入末端源跟随器隔离后级寄生电容，提升电路的总体带宽；所述电路采用RGC结构有效地降低输入阻抗，更好地隔离以光电探测器结电容为主的输入电容；所述电路对元器件参数进行调节和优化，并采用了差分结构，大幅度扩展了电路的工作带宽。