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专利名称针对屏蔽差分硅通孔的RL无源均衡器结构及其设计方法
申请日2018-06-06
申请号/专利号CN201810575644.1
专利权人杭州电子科技大学
申请人杭州电子科技大学
发明人/设计人赵文生;傅楷;徐魁文;董林玺;王高峰
公告日2018-12-11
公告号CN108988815A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开一种针对屏蔽差分硅通孔的RL无源均衡器结构及其设计方法。本发明由多个单元构成;所述单元由硅衬底到金属层方向依次包括位于硅衬底中的屏蔽差分硅通孔,位于绝缘层中的两个输入端口和构成均衡器的片上电阻,以及位于最外层金属层的片上电容和输出端口;此结构利用电阻‑电感(Resistance‑Inductance,RL)谐振电路的思路设计而成。此结构可以有效解决数字差分信号传输系统中存在的码间串扰问题,使传输频带变得平坦,有效提高了高速数字信号的传输质量。
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