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专利名称一种CML电平转CMOS电平的电路结构
申请日2018-05-29
申请号/专利号CN201810529641.4
专利权人高科创芯(北京)科技有限公司
申请人高科创芯(北京)科技有限公司
发明人/设计人戴澜;陈纲
公告日2018-08-24
公告号CN108449082A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种电流模式逻辑(CML)电平转CMOS电平电路结构,包括:CML电平均衡放大电路A,用于将差分电路信号进行直流工作点搬移,同时对CML信号摆幅进行一级放大;直流去耦合放大电路B,用于去掉差分CML信号的直流工作点,同时对所述差分CML信号进行二级放大;以及占空比矫正电路C,用于在高速CML电平进行CMOS电平转换的过程中,避免占空比失调。采用本发明的电路结构,能够高效解决高速集成电路芯片中实现CML电平到CMOS电平的转换的目的。
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