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专利名称高电位侧栅极驱动电路、半导体模块及3相逆变器系统
申请日2018-05-18
申请号/专利号CN201810479906.4
专利权人三菱电机株式会社
申请人三菱电机株式会社
发明人/设计人酒井伸次;小田寿志
公告日2018-12-07
公告号CN108964424A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明的目的是,在高电位侧栅极驱动电路中,对信号的传递损耗和延迟时间的增加进行抑制,且对噪声的影响进行抑制。高电位侧栅极驱动电路(103)具有:脉冲生成电路,其生成与输入信号同步的第1脉冲;以及电平移位电路,其将第1脉冲的基准电压向高电位侧开关元件的电源电压进行电平移位。电平移位电路具有由第1脉冲驱动的MOSFET。高电位侧栅极驱动电路(103)具有:遮蔽信号生成电路(26),其生成在MOSFET的源极电位成为高电平的期间成为高电平的遮蔽信号;以及再发出电路(36、37),它们在遮蔽信号为高电平的期间即遮蔽期间中第1脉冲被输入至电平移位电路的情况下,在遮蔽期间后,将第2脉冲输入至电平移位电路。
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