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专利名称提高噪声性能的传感器偏置电路
申请日2018-05-04
申请号/专利号CN201810419450.2
专利权人亚德诺半导体集团
申请人亚德诺半导体集团
发明人/设计人王汉卿;J·J·欧唐纳
公告日2018-11-13
公告号CN108802154A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本公开涉及提高噪声性能的传感器偏置电路。提供在处理来自电化学传感器的信号时改善噪声性能的技术。在例子中,接口电路可包括:第一放大器,被配置为向所述电化学传感器的反电极提供电压;第二放大器,被配置为从所述电化学传感器的工作电极接收传感器信息并且使用所述传感器信息提供浓度信息。在某些例子中,所述第一放大器的输入可以直接耦合到所述第二放大器的输入,以衰减所述第一放大器或第二放大器在由所述第二放大器提供的浓度信息内的噪声。
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