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专利名称一种适用于零电压开通MOSFET的低损耗驱动电路
申请日2018-04-28
申请号/专利号CN201810399531.0
专利权人北京机械设备研究所
申请人北京机械设备研究所
发明人/设计人赵鑫;杨帆;郭鑫;张斌;李力生
公告日2018-10-09
公告号CN108631560A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明涉及一种适用于零电压开通MOSFET的低损耗驱动电路,属于驱动电路技术领域,解决了现有技术中零电压开通MOSFET驱动电路存在驱动损耗大、成本高的问题。所述驱动电路由驱动信号输入端、变压器励磁电路、驱动变压器、充放电控制电路组成,其中,驱动信号输入端连接变压器励磁电路,所述变压器励磁电路的输出端连接驱动变压器的原边绕组,所述驱动变压器的副边绕组连接充放电控制电路;所述充放电控制电路的输出端口一和输出端口二分别用于与所述零电压开通MOSFET的栅极和源极连接。本发明所述驱动电路实现简单、驱动损耗小、成本低,尤其适用于诸如LLC等ZVS拓扑结构中MOSFET的隔离驱动要求。
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