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| 专利名称 | 高分辨率FET VDS零伏交叉定时检测方案 |
| 申请日 | 2018-04-26 |
| 申请号/专利号 | CN201880027648.4 |
| 专利权人 | 德州仪器公司 |
| 申请人 | 德州仪器公司 |
| 发明人/设计人 | 徐经纬;V·德瓦拉詹;张刚强;A·W·佩雷拉 |
| 公告日 | 2019-12-13 |
| 公告号 | CN110574291A |
| 法律状态 | 审中 |
| 专利类型 | 发明 |
| 行业分类 |
摘要
在用于检测场效应晶体管中的零伏交叉的方法和设备中，比较器(200)将所述晶体管的漏极到源极电压(Vds)与阈值电压(VTH‑ds)进行比较。将所述晶体管的栅极电压信号(Vgs)提供到所述比较器(200)的时钟输入，使得使用所述栅极电压信号(Vgs)将比较的结果锁存到所述比较器(200)的输出。基于所述比较器(200)输出的值相对于所述晶体管执行控制功能。
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