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专利名称单电容占空比可控振荡器
申请日2018-04-25
申请号/专利号CN201810376609.7
专利权人中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人中国电子科技集团公司第五十八研究所
发明人/设计人奚冬杰;罗永波;宣志斌
公告日2018-09-28
公告号CN108599745A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种单电容占空比可控振荡器,包括第一电流源I1、第一、二、三、四、五、六、七、八NMOS管、第一电容C1、第一电阻R1、第一反向器INV1、第一、二、三、四、五、六、七PMOS管;第一电容C1为充放电电容,第四、六NMOS管构成放电支路,第三PMOS管MP3构成充电支路,调节第三、四NMOS管镜像电流源的比例即可控制输出电压的占空比。本发明通过使用两条独立支路对第一电容C1进行充放电操作,可获得任意所需占空比;通过第七、八NMOS管精确设置了电路充放电的上下翻转点,降低了电路复杂度和功耗;同时第七、八NMOS管通过对电路上下翻转点引入迟滞,提高了电路抗干扰能力。
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