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专利名称基于CMOS反相器和忆阻器构成的全加电路
申请日2018-04-20
申请号/专利号CN201810357314.5
专利权人西南大学
申请人西南大学
发明人/设计人胡小方;杨辉;段书凯;王丽丹
公告日2018-08-24
公告号CN108449080A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种基于CMOS反相器和忆阻器构成的全加电路,包括四个CMOS反相器,其中:第一反相器和四个忆阻器构成一个异或门电路,第四反相器和另外四个忆阻器构成一个同或门电路,第二反相器和第三反相器分别接收初始进位信号VCin,第二反相器的上端与第一反相器的输入端连接,第二反相器的下端与第四反相器的输入端连接,由第二反相器输出进位信号VCout,异或门电路的输出端连接在第三反相器的上端,同或门电路的输出端连接在第三反相器的下端,由第三反相器输出和电压VSum。其效果是:该电路使逻辑电路融合了计算存储功能,大幅减少了逻辑操作步骤,精简了电路所需元件,使电路成本进一步降低,提高电路的集成度。
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