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专利名称快速导通Pmos管驱动电路及实现方法
申请日2018-04-10
申请号/专利号CN201810313823.8
专利权人上海空间电源研究所
申请人上海空间电源研究所
发明人/设计人王新征;徐泽锋;蔡晓东;瞿诗霞;张俊亭;杜青;郑磊;刘东
公告日2018-11-06
公告号CN108768355A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明提供了一种快速导通Pmos管驱动电路及实现方法,将处于截止状态的Pmos管快速导通。若驱动信号由低电平翻转为高电平,则经R0使三极管Q1导通,电容C1一端电压突变为0,由于电容电压不能突变,因此电容C1另外一端电压亦突变为0,造成三极管Q3的发射极与基极之间基极电流突然增大,该电流给电容C1充电,同时三极管Q3的集电极同步放大,三极管Q3工作在饱和导通区,且电阻R4为小阻值电阻,电压VG通过电阻R4对地快速放电。此外,电压VS通过电阻R2也给电容C1充电,快速使电压VC1+嵌位在电阻R1与R2的分压处,合理选取电阻R1、R2即可实现Pmos管快速导通。本发明电路结构简单,易于工程实现。
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