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专利名称适用于GaN高速栅驱动电路的浮动电源轨
申请日2018-04-09
申请号/专利号CN201810309410.2
专利权人电子科技大学
申请人电子科技大学
发明人/设计人明鑫;张宣;范子威;秦尧;胡黎;潘溯;张春奇;王卓;张波
公告日2018-09-04
公告号CN108494234A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

适用于GaN高速栅驱动电路的浮动电源轨,属于电源管理技术领域。本发明采用双浮动电源轨的设计,能够实现同时满足GaN功率开关器件在安全电压内工作和低压转高压电平位移电路拥有足够的动态范围的浮动电源轨;高压转低压电平位移电路、电压钳位电路、逻辑控制电路和第一浮动电源轨产生电路构成闭环,用于产生第一电源轨BST作为GaN高速栅驱动电路中的缓冲电路的电源轨,能够保护GaN功率开关器件栅源电压工作在安全范围内;第二浮动电源轨产生电路构成开环,用于产生第二电源轨BSTA作为GaN高速栅驱动电路中的低压转高压电平位移电路的电源轨,能够保证其具有足够的动态范围。
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