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专利名称一种纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路
申请日2018-04-04
申请号/专利号CN201810298681.2
专利权人上海申矽凌微电子科技有限公司
申请人上海申矽凌微电子科技有限公司
发明人/设计人谢芳
公告日2018-11-06
公告号CN108768362A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明提供了一种纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路,包括依次连接的:电源检测锁存部分、反相延时部分以及与非门部分;电源检测锁存部分的PMOS管M105与NMOS管M106的栅极相互连接作为第一节点,漏极相互连接作为第二节点;PMOS管M101的漏极、PMOS管M104的漏极以及电容C107的一端分别连接第一节点,NMOS管M103的漏极通过分压器件连接第一节点,NMOS管M103的栅极连接与非门部分,PMOS管M101的栅极接地,PMOS管M104的栅极连接第二节点,第一节点还连接反相延时部分,第二节点连接反相延时部分。本发明电路简单有效,工艺层次简单,布版图的面积小,成本低,电路工作一致性好,实现了静态无功耗。
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