描述了用于实际实现包括作为RF放大器工作的晶体管的堆叠的集成电路的系统、方法和设备。随着堆叠高度增加，用于提供在放大器的输出端处的RF电压在堆叠之上的期望分布的栅极电容器的电容值可以降低到接近该集成电路中存在的寄生/杂散电容值的值，这可能会使集成电路的实际实现变得困难。将堆叠中的一个晶体管的栅极处的RF栅极电压耦接至堆叠中的不同晶体管的栅极，可以允许不同晶体管的栅极电容器的电容值的增加，以根据期望分布在不同晶体管的栅极处获得RF电压。