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专利名称抗两位节点翻转的锁存器
申请日2018-03-28
申请号/专利号CN201810263185.3
专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人/设计人蒋建伟
公告日2018-08-24
公告号CN108449071A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种抗两位节点翻转的锁存器,包括:存储单元,输出端穆勒单元;存储单元由3个第一穆勒单元和3个第二穆勒单元连接而成的互锁结构组成并具有六个存储节点;第一穆勒单元包括:2个串联PMOS管和2个串联的NMOS管;第二穆勒单元包括:串联的1个PMOS管和1个NMOS管;输出端穆勒单元包括:3个串联PMOS管和3个串联的NMOS管。第一和第二穆勒单元交替排列,输出端穆勒单元的3个输入端和3个第一穆勒单元的输出端对应的存储节点连接,输出端穆勒单元的输出端和数据输出信号节点连接。本发明能实现对两位节点的单粒子干扰实现很好的抵抗,使锁存器的输出稳定性提高。
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