本发明提供了一种低等效串联电阻小型晶片制作方法，首先在整个大尺寸的石英晶片的两面各形成一层金属保护膜，然后用激光按照预设的矩阵布局在两面保护膜上去膜开孔，形成一定形状和面积的一维或二维矩阵排列的小晶片布局，然后用腐蚀液从这些开孔处进行浅腐蚀。接着依次进行激光去膜、深腐蚀，产生若干个两端或四边变薄而中央部位突出的小晶片，最后将各个小晶片上的剩余金属保护膜去掉，最终形成大量ESR小型晶片。该制作方法简单，适用于大规模生产，且可以得到大量更优质的低成本ESR小晶片。