本发明涉及用于FDSOI的电路调谐方案，其中，一种电路调谐的方法包括：对电路结构施加第一正电压及第二正电压，该电路结构包括具有翻转井晶体管的p型金属氧化物半导体(PMOS)装置、及n型金属氧化物半导体(NMOS)装置；响应于对该NMOS装置的p型井区所施加的该第一正电压而调整第一阈值电压，及响应于对该PMOS装置的p型井区所施加的该第二正电压而调整第二阈值电压；以及相对于相同共模电压透过该PMOS装置及该NMOS装置的背栅极补偿该第一阈值电压及该第二阈值电压。