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专利名称MOS管保持电路
申请日2018-03-07
申请号/专利号CN201820311858.3
专利权人哈尔滨理工大学
申请人哈尔滨理工大学
发明人/设计人刘倩;李彩霞;郑国旭
公告日2018-08-31
公告号CN207801893U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类

摘要

MOS管保持电路,涉及电路保持领域。本实用新型是为了解决现有的MOS保持电路结构单一并且复杂的问题。当A提供一个置低的触发信号时,此时双时基集成芯片NE556置位,双时基集成芯片NE556的5号引脚输出高电平,从三极管VD1集电极流出的电流通过二极管D2给电容C4充电,同时MOS管Q1导通,此时,中间继电器K1线圈吸合,中间继电器K1常闭触点K1‑1断开,直到双时基集成芯片NE556的1脚和2脚上的电压充至2/3电源电压时,双时基集成芯片NE556自动复位,后续电路不工作,电容C4放电维持MOS管Q1导通,直到电容C4放电结束,中间继电器K1线圈释放,中间继电器K1常闭触点K1‑1闭合,此时通过闭合的中间继电器K1常闭触点K1‑1将双时基集成芯片NE556的1脚和2脚上的电压释放掉,为下一次给双时基集成芯片NE556的6号引脚提供置低的触发信号做准备。它用于保持MOS管Q1导通。
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