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专利名称半导体元件的驱动装置
申请日2018-03-06
申请号/专利号CN201810182900.0
专利权人富士电机株式会社
申请人富士电机株式会社
发明人/设计人皆川启
公告日2018-11-13
公告号CN108809059A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

提供一种能够加快例如由IGBT形成的半导体元件导通时的过电流的检测速度、并且减少半导体元件短路时的过电流的半导体元件的驱动装置。具备:过电流检测电路,其将由将流过半导体元件的电流变换为电压来进行检测的电流检测电路检测出的电流检测电压与过电流检测阈值电压进行比较,来检测流过半导体元件的过电流;保护电路,其在检测出过电流时对所述半导体元件的接通断开驱动进行控制来防止所述半导体元件的热破坏;以及栅极电压检测电路,其在所述半导体元件的栅极电压低于基准电压时将所述过电流检测阈值电压设定为第一阈值电压,在栅极电压高于基准电压时将所述过电流检测阈值电压设定为低于第一阈值电压的第二阈值电压。
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