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专利名称低频振荡电路及偏置电压和电流产生电路
申请日2018-03-05
申请号/专利号CN201810178622.1
专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人/设计人邵博闻
公告日2018-09-04
公告号CN108494385A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种低频振荡电路,由偏置电压和电流产生电路、振荡电路组成;所述偏置电压和电流产生电路由第一PMOS晶体管~第三PMOS晶体管、第一NMOS晶体管~第四NMOS晶体管、第一电阻组成;所述振荡电路由第四PMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第一反相器、第一比较器、第二比较器、第一RS触发器、第一电容组成。本发明还公开了一种用于所述低频振荡电路的偏置电压和电流产生电路。本发明能够在不增加额外电路的情况下,使参考电流和参考电压同源。
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