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专利名称优化碳化硅MOSFET开通波形的开环驱动电路
申请日2018-03-02
申请号/专利号CN201820297655.3
专利权人清华大学
申请人清华大学
发明人/设计人陆海峰;韩洋;柴建云;李永东
公告日2018-12-21
公告号CN208272946U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类

摘要

本实用新型公开了一种优化碳化硅MOSFET开通波形的开环驱动电路,包括:驱动电压波形发生器,用于产生一个预设上升沿的驱动电压波形;变门极驱动电阻控制电路,用于在开通暂态过程的不同阶段控制门极驱动电阻的大小,其中,在电流上升阶段,碳化硅MOSFET的栅源电压变化率和驱动电压上升变化率一致,以通过控制驱动电压上升变化率控制电流上升变化率和反向电流;在电压下降阶段,增加门极电流,以加速电压下降过程,并减小开通损耗;在稳定导通阶段,增加门极阻尼电阻,以在不影响开关速度下,抑制门极电压超调。该驱动电路结构简单,较易实现,成本较低,可在减小开通损耗的情况下,同时抑制反向电流尖峰和门极电压超调。
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