公开了一种可变衰减器(v‑ATT)。v‑ATT包括输入端子、输出端子、在所述输入和输出端子之间的传输线、设置在所述传输线和地之间的至少两个级、以及偏压单元。每个级包括场效应晶体管(FET)，其根据提供至栅极的偏压来改变所述传输线和所述地之间的阻抗。偏压单元产生偏压，每个偏压都提供给各个级。所述v‑ATT的特征之一是：至少一个级接收至少一个偏压，所述至少一个偏压不同于提供至所述至少一个级中的其他级的偏压。