本发明提供半导体装置，抑制感测二极管的恢复电流。半导体装置具有：半导体基板；上部主电极，配置在所述半导体基板的上部；感测阳极电极，配置在所述半导体基板的上部；电阻层，配置在所述半导体基板的上部且具有比所述感测阳极电极高的电阻率；及下部主电极，配置在所述半导体基板的下部。所述半导体基板具有开关元件和感测二极管。所述开关元件连接在所述上部主电极与所述下部主电极之间。所述感测二极管具有经由所述电阻层而与所述感测阳极电极连接的p型的第一阳极区和与所述下部主电极连接的n型的第一阴极区。