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专利名称一种基于阴极短路栅控晶闸管的脉冲形成网络
申请日2018-02-05
申请号/专利号CN201810110862.8
专利权人电子科技大学
申请人电子科技大学
发明人/设计人陈万军;左慧玲;刘超;陶宏;李青岭
公告日2018-06-29
公告号CN108233897A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明属于电力电子领域,具体的说是一种基于阴极短路栅控晶闸管(CS‑MCT)的脉冲形成网络。本发明主要包括由直流电源和充电电阻构成的充电回路,N级脉冲形成网络部分,由单向导通二极管、CS‑MCT、续流二极管、双向钳位二极管、负载构成的放电回路以及器件栅极控制部分,其中CS‑MCT采用四端接法,和普通三端器件相比,多了一个栅阴极(Kevin Cathode)。其特点是:能有效抑制因阴极电感感生的瞬时高压对栅阴极回路的影响,避免栅极因为过压造成击穿失效。而且栅极只起触发导通的作用,当器件导通闩锁之后进入晶闸管工作模式下,电导调制效果进一步加强,导通性能不受栅极电压控制,亦不受饱和电流限制,能够在小面积下实现更大的脉冲电流。
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