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专利名称具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器
申请日2018-02-05
申请号/专利号CN201810111237.5
专利权人武汉衍熙微器件有限公司
申请人武汉衍熙微器件有限公司
发明人/设计人赵俊武;林瑞钦
公告日2019-08-13
公告号CN110120793A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明提供一种具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器,包括从下到上依次设置的基底、第一电极、压电层和第二电极,基底与第一电极之间设有反射界面;其中压电层的中间部分位于有源区,压电层包括c轴优选压电层,所述的压电层中还包括非c轴优选压电层,所述的c轴优选压电层的一部分或全部位于非c轴优选压电层的内侧;其中位于内侧的c轴优选压电层被非c轴优选压电层包围,且位于有源区内。本发明通过在压电层设置非c轴优选压电层,从而在压电层能够抑制c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振,进而提升谐振器的Q值并减小寄生谐振。
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