本发明涉及一种基于电流阈值判断的逆导型IGBT门极预退饱和驱动方法，利用在逆导型IGBT门极中外置功率MOSFET，起到驱动电平的灵活转换，该驱动电路可以实时监测逆导型IGBT的运行模式，并通过电流测量方法，获得流过电路的平均电流，由此判断是否需要改变门极电压，以优化逆导型IGBT内部集成二极管动态与静态特性，从而降低三相逆变系统动态与静态损耗，提高系统效率，经测算，将此预退饱和门极驱动电路应用于三相逆变器中，在保持体积不变前提下，可以提升30％左右的系统容量，降低10％‑15％的损耗释放，1MW级三相逆变器可以节约电能10％‑12％。