本发明提供一种能够抑制对感测二极管施加过电压的半导体装置。该半导体装置包括：半导体基板；配置在所述半导体基板的上方的上方主电极；配置在所述半导体基板的上方的感测阳极电极；第一电阻层；以及配置在所述半导体基板的下方的下方主电极。所述第一电阻层配置在所述半导体基板的上方，具有大于所述上方主电极以及所述感测阳极电极的电阻率，并连接所述上方主电极和所述感测阳极电极。所述半导体基板包括开关元件和感测二极管。所述开关元件连接在所述上方主电极和所述下方主电极之间。所述感测二极管包括：p型的第一阳极区域，其与所述感测阳极电极连接；以及n型的第一阴极区域，其与所述下方主电极连接。