半导体包括具有第一表面和相对面向的第二表面的半导体衬底。放大器设备形成在半导体衬底中，放大器设备被配置成在基本频率处放大RF信号。在衬底的第一表面上形成第一介电层。第一金属化层形成在第一介电层上。第一金属化层与衬底通过第一介电层间隔开。第一金属化层包括与第一参考电位板相互交叉的第一细长指状件。第一细长指状件与第一参考电位板物理地断开。第一参考电位板包括没有金属化的第一图案化形状。第一图案化形状具有过滤基本频率的谐波分量的几何结构。