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专利名称一种基于碳化硅衬底/氧化锌或掺杂氧化锌薄膜的声表面波器件及其制备方法
申请日2018-01-24
申请号/专利号CN201810069487.7
专利权人清华大学;无锡市好达电子有限公司
申请人清华大学;无锡市好达电子有限公司
发明人/设计人潘峰;李起;曾飞;王为标;宋成;傅肃磊
公告日2018-06-01
公告号CN108111142A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种基于碳化硅衬底/氧化锌或掺杂氧化锌薄膜的声表面波器件及其制备方法。该器件的结构包括:碳化硅衬底、位于碳化硅衬底上的中间过渡层、位于中间过渡层上的压电层、以及位于压电层上的叉指电极;压电层由氧化锌或掺杂氧化锌组成;叉指电极包括位于压电层上的金属打底层和位于金属打底层上的金属主体层。本发明采用碳化硅衬底作为基底,在碳化硅基底和(掺杂氧化锌)薄膜之间引入一薄层铝镓氮中间过渡层,通过精确控制生长条件,生长出了高质量平坦的外延(掺杂)氧化锌薄膜。本发明工艺步简单,成本低廉,制作的声表面波器件具有较高的中心频率,高的功率耐受性,小的温度系数,在高频高功率低温度系数领域有巨大的应用。
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