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专利名称晶体管装置的过电压保护
申请日2018-01-19
申请号/专利号CN201810054550.X
专利权人对话半导体(英国)有限公司
申请人对话半导体(英国)有限公司
发明人/设计人霍斯特·克内蒂格;克里斯托夫·N·内戈尔;内博伊沙·耶拉查
公告日2019-01-15
公告号CN109217858A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

一种用于晶体管的过电压保护电路起作用来当所述晶体管处于关闭状态时,一旦通道电压超过阈值就会接通所述晶体管。这利用了与所述晶体管集成一体的内部部件实现,从而避免对外部二极管或齐纳结构的需要。所述电路具有晶体管,所述晶体管具有控制端子、第一载流端子和第二载流端子。所述过电压保护电路具有电平位移器,所述电平位移器被布置来将处于所述第一载流端子与第二载流端子之间的通道电压的电平位移版本反馈给所述控制端子。在所述通道电压的预定值被越过时,所述电平位移器允许所述晶体管的所述切换阈值电压被越过。
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