本发明公开了高频电路中对称的抗辐射锁存器，涉及电路领域，包括：输入节点D、反相器INV1、传输门TG1、C单元构成的反馈回路、反相器INV4和输出信号Q按顺序连接形成一条通路，经过通路形成对称的D‑M‑E回路和D‑N‑E回路；D‑M‑E回路包括PMOS管并经过节点M，节点M与PMOS管漏极或源极连接并控制NMOS管MN3和PMOS管MP4的通断；D‑N‑E回路包括NMOS管并经过节点N，节点N与NMOS管漏极或源极连接并控制PMOS管MP2和NMOS管MN4的通断；输出信号Q通过自身反馈回路控制PMOS管MP3和NMOS管MN2的通断。优点在于：传输延迟低、面积开销较小、功耗较低。