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专利名称单晶压电射频谐振器和滤波器的制备方法
申请日2018-01-04
申请号/专利号CN201810007424.9
专利权人珠海晶讯聚震科技有限公司
申请人珠海晶讯聚震科技有限公司
发明人/设计人不公告发明人
公告日2018-08-03
公告号CN108365829A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

一种制备包含一系列谐振器的射频(RF)滤波器的方法,包括以下步骤:获得一个拥有释放层的可移除载体;在释放层上制备压电薄膜;在压电膜上沉积第一电极层;在硅盖上制备背膜;在电极上方附接晶圆背膜;分离可移除载体;必要时测量压电和修整;选择性地腐蚀压电膜形成岛屿;腐蚀涂层和硅晶膜形成SiO2;在腐蚀沟槽和压电岛周围及上方涂上钝化层;施加上电极;添加联轴器用于连接转接板;选择性地移除电极材料以留出稱合的谐振器;制造垫片;削薄硅盖;在SOI中制造腔体(除非使用带有腔体的SOI);分割;获取转接板;制造环氧树脂坝结构;将滤波器连接到转接板衬底(倒装芯片);封装;以及分离。
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