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专利名称栅极电源偏置电路和功率放大器
申请日2017-12-30
申请号/专利号CN201711491291.9
专利权人中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人/设计人董毅敏;蔡道民;汪江涛;高学邦;段雪
公告日2018-06-15
公告号CN108173522A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明涉及放大器技术领域,提供了栅极电源偏置电路和功率放大器。该栅极电源偏置电路应用于毫米波功率放大器,包括:微带线,一端与毫米波功率放大器中的高电子迁移率晶体管HEMT的栅极连接;第一电阻单元,一端与所述微带线的另一端连接;第二电阻单元,第一端与所述第一电阻单元的另一端连接,第二端与外部栅极电源连接;去耦电容,一端与所述第二电阻单元的第一端连接,另一端接地;其中,所述第二电阻单元用于对所述去耦电容未能处理的低频信号形成高阻,抑制低频耦模振荡。采用上述栅极电源偏置电路的功率放大器低频信号下的稳定性较好。
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