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专利名称针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法
申请日2017-12-29
申请号/专利号CN201711483390.2
专利权人北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网有限公司
申请人北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网有限公司
发明人/设计人杨小坤;张海峰;原义栋;胡毅;何洋;李振国;靳嘉桢
公告日2018-08-03
公告号CN108365847A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法,所述电荷型SAR‑ADC包括LSB电容阵列,将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连,第一补偿电路的另一端接任意恒定电位,第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cdl'并联组成,通过调节第一补偿电路来调节SAR‑ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu,共L位,从低位到高位分别以2倍的关系递增,最高位电容值为2L‑1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时,则如下关系式成立:CLt=(2L‑1)·Cu+Cdl+Cdl'。所述针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度,特别适合高精度ADC的设计。
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