本发明公开了一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法，该方法包括：对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜，在已溅射金属保护膜的小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对该小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理，对激光去膜处理后的小型石英晶片进行晶片腐蚀处理，及对晶片腐蚀处理后的小型石英晶片进行金属腐蚀处理，以去除金属保护膜。由于该小型石英晶片的指定位置无金属保护膜，使得在晶片腐蚀处理的过程中，小型石英晶片的指定位置被腐蚀，而具有金属保护膜的位置不被腐蚀，晶片的具体形状易于控制。且该方法成本低，能够有效的帮助大批量的生产制造具有低等效串联电阻的小型晶片，满足市场的需求。