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专利名称新型射频谐振器薄膜及其构造方法
申请日2017-12-28
申请号/专利号CN201711462702.1
专利权人珠海晶讯聚震科技有限公司
申请人珠海晶讯聚震科技有限公司
发明人/设计人不公告发明人
公告日2018-06-15
公告号CN108173530A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

一种首次采用分子束外延技术制备的BaxSr(1‑x)TiO3(BST)单晶薄膜,薄膜的厚度通常为200nm至500nm,并且公差可以被控制在1%以内。其可以制造在蓝宝石晶圆载体上,然后可以将其分离。薄膜的平滑度具有小于1nm的RMS。这种膜非常有希望用于下一代RF滤波器。
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