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专利名称一种磁滞激光编程的单切片TMR开关传感器
申请日2017-12-14
申请号/专利号CN201711337932.5
专利权人江苏多维科技有限公司
申请人江苏多维科技有限公司
发明人/设计人詹姆斯·G·迪克;周志敏
公告日2018-07-06
公告号CN108259032A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明提出了一种磁滞激光编程的单切片TMR开关传感器,包括:磁滞开关传感器,包括:衬底,位于衬底上的磁电阻传感臂,磁电阻传感单元为TMR传感单元,自由层磁化方向、磁场敏感方向和参考层磁化方向均沿着N或者S方向,自由层磁化强度仅由各向异性场Hk决定时,形成双极型磁滞开关传感器,或者由各向异性场Hk和沿着N或者S方向偏置场Hb共同决定,则形成S或N单极型磁滞开关传感器或者全级型磁滞开关传感器,反铁磁层磁化方向为采用激光编程工艺写入;ASIC电路,包括偏置功能模块,阅读功能模块和输出功能模块,偏置功能模块连接电源端,阅读功能模块连接信号输出端,输出功能模块连接阅读功能模块。本发明具有低功耗,小尺寸,易于操作的优点。
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