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| 专利名称 | 半导体器件 |
| 申请日 | 2017-12-07 |
| 申请号/专利号 | CN201711286017.8 |
| 专利权人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人/设计人 | 李建兴;张智胜;威尔曼·蔡;张家文;叶凌彦;卡洛斯·H·迪亚兹 |
| 公告日 | 2019-03-26 |
| 公告号 | CN109525232A |
| 法律状态 | 审中 |
| 专利类型 | 发明 |
| 行业分类 |
摘要
本发明的实施例涉及一种半导体器件包括：用于提供第一电位的第一电位供应线，用于提供比第一电位低的第二电位的第二电位供应线，功能电路，以及设置在第一电位供应线和功能电路之间的第一开关和设置在第二电位供应线和功能电路之间的第二开关中的至少一个。第一开关和第二开关是负电容FET。
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