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专利名称电荷注入补偿电路
申请日2017-12-06
申请号/专利号CN201711274886.9
专利权人亚德诺半导体集团
申请人亚德诺半导体集团
发明人/设计人J·G·萨蒂兰;D·埃亨尼
公告日2018-06-12
公告号CN108155896A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本公开涉及电荷注入补偿电路。电荷注入补偿电路通过场效应晶体管(FET)开关补偿电荷注入,而不管电源电压如何。电荷注入补偿电路包括在关闭时将电荷注入到电子电路中的主开关、以及存储注入的电荷直到其能够耗散到耗散节点的电荷存储装置。当主开关被控制关闭时,脉冲发生器电路控制电荷存储开关接通,从而将从主开关注入的电荷转移到电荷存储装置,然后关断。耗散电路将来自电荷存储装置的电荷耗散到耗散节点。
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