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专利名称磁隔离控制半导体开关的电源软启停和保护装置及电气系统
申请日2017-11-29
申请号/专利号CN201711226585.9
专利权人中国工程物理研究院应用电子学研究所
申请人中国工程物理研究院应用电子学研究所
发明人/设计人任先文;谭志远;甘孔银;孙会;刘平;于婷;周明远
公告日2018-04-20
公告号CN107947773A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明涉及一种磁隔离控制半导体开关的电源软启停和保护装置及电气系统,属于航天器电源技术领域,该装置包括母线连接回路、栅极控制及驱动回路和信号控制输入端,母线连接回路包括高电压母线连接端、功率半导体开关MOSFET、负载下拉电阻、负载输入电容、用电设备和母线回路地连接端,栅极控制及驱动回路包括低压直流线性可调电源、隔离变压器、低压高频开关管、控制回线地连接端和控制信号整流桥,信号控制输入端包括直流控制信号输入端、脉冲驱动信号输入端和用电设备使能控制信号输入端,本发明可以在“地电位”施加控制信号控制数百伏高电位下的功率半导体MOSFET开关,实现母线和用电设备的联通和断开,同时可以起到过压保护作用。
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