本发明涉及一种用于芯片电路的超低压两级环形压控振荡器，其特征在于，包括两级延迟单元，所述振荡器包括两个首尾相接的延迟单元，通过调节延迟单元的延迟时间调整工作频率；延迟单元包括PMOS晶体管M1、M2、M3、M4，NMOS管M5、M6、M7、M8，及负载电容CL。本发明两级环形压控振荡器，采用衬底前馈偏置结构，降低晶体管阈值电压，降低电源电压，减小功耗，同时具有较大的调谐范围，特别适合于低电源电压工作的系统。