本发明涉及使用互补对的电流注入场效应晶体管(iFET)装置(CiFET)的低噪声传感器放大器和跨阻抗放大器。CiFET包括N型电流场效应晶体管(NiFET)和P型电流场效应晶体管(PiFET)，所述NiFET和PiFET中的每一个都具有源极、漏极、栅极和扩散(电流注入)端子(iPort)。每个iFET还具有在所述源极和扩散端子之间具有宽度和长度的源极沟道，以及在所述漏极和所述扩散端子之间具有宽度和长度的漏极沟道。通过所述iFET的源极沟道的宽度/长度与漏极沟道的宽度/长度的比率和电源电压来调节所述CiFET装置的跨阻抗。在一种配置中，所述NiFET和PiFET的所述栅极端子连接在一起以形成公共栅极。在另一种配置中，所述公共栅极被配置为用于高输入阻抗模式的电压输入端。输出电压在共模电压周围发生摆动。