一种GaN场效应晶体管(FET)，包括多个晶体管单元。晶体管单元的栅极金属层包括栅极‑漏极突出部(宽度0.2um至2.5um)和栅极‑源极突出部(宽度0.3um至1um)，以及在晶体管单元的每个窄边缘处的加宽部分，其中，栅极金属层(150)的加宽部分的宽度为2至5um。晶体管单元的金属(1)层延伸超过金属(0)层。最后金属层包括漏极板和源极板，各自具有梯形形式。多于两个通孔位于加宽部分处用以将所述栅极金属层连接至栅极总线。沿着晶体管单元的纵向尺寸分步的多于六个通孔将金属(1)层连接至金属(0)层。多个类型2通孔将金属(1)层连接至最后金属层。