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专利名称应用于GaN栅极驱动的高速高压电平转换电路
申请日2017-11-22
申请号/专利号CN201711175450.4
专利权人中山大学
申请人中山大学
发明人/设计人郭建平;张弘
公告日2018-06-12
公告号CN108155903A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种应用于GaN栅极驱动的高速高压电平转换电路,包括:输入电路、第一PMOS晶体管、电平转换电路和整形电路;输入电路第一端在第一节点连接至电平转换电路第一端,第二端在第二节点连接至第一PMOS晶体管的漏极,第一PMOS晶体管的栅极连接至第一电源线,第一PMOS晶体管的源极在第三节点连接至电平转换电路第二端,电平转换电路连接至第二电源线,电平转换电路第二端在第三节点连接至整形电路的输入端,整形电路连接至第一电源线和第二电源线,其输出端在第四节点连接至功率器件的第一端,功率器件连接至第一电源线和第三电源线。
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