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专利名称半导体装置和电位测量装置
申请日2017-11-17
申请号/专利号CN201780072891.3
专利权人索尼半导体解决方案公司
申请人索尼半导体解决方案公司
发明人/设计人佐藤正启;亀谷真知子;小木纯;加藤祐理
公告日2019-07-16
公告号CN110023746A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明涉及:当电极和放大器设置在同一基板上时能够在电极形成过程中防止静电击穿的半导体装置和电位测量装置。设置有这样的二极管:该二极管的负极连接至放大晶体管的前一级,该放大晶体管用于放大由用于读取电位的读取电极读取的信号,该读取电极与输入有样本的液体接触;并且该二极管的正极接地。使用该构造,通过使电极形成过程中的在电极和放大晶体管之间产生的负电荷从二极管旁通并且向地排出负电荷来防止静电击穿。本发明适用于生物电电位测量装置。
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