本申请涉及半导体生产的光刻工艺技术领域，具体而言，涉及一种基于极坐标矢量计算光刻模型的方法及装置。本申请提供一种基于极坐标矢量计算光刻模型的方法，包括：确定光源的极化类型；基于所述极化类型，建立进入光瞳的入射光线场强的传输矩阵，所述传输矩阵描述入射光线场强的传输变化；基于所述光源的极化类型和所述入射光线场强的传输关系，建立矢量计算光刻模型得到描述物理光学的多个交叉传递函数；基于所述物理光学的多个交叉传递函数计算矢量光刻模型在光阻层上的光强分布。