本发明公开了一种具有局域等离子体增强效应的发光二极管(LED)的制备方法。该工艺方法主要是：先利用纳米球掩膜刻蚀技术，在LED的P‑GaN层刻蚀出相应的纳米凹槽，然后在P‑GaN层表面滴上匹配LED发光波长的金属纳米颗粒溶液，让溶液在P‑GaN层表面均匀分布，烘干后金属颗粒会沉积在纳米凹槽内，然后沉积电流隔离层，最后去掉相关的纳米球掩膜，这样金属纳米纳米颗粒和电流隔离层可以填在纳米凹槽内，最后利用常规的工艺制作电极。结果表明，本发明的方法能有效地在LED芯片的量子阱附近制备匹配LED发光波长的金属纳米颗粒，为制备具有局域表面等离子体增强效应的LED提供一种有效的方法。