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专利名称非对称三波导结构的偏振分束器及其制备方法
申请日2019-12-02
申请号/专利号CN201911218413.6
专利权人中国科学院半导体研究所
申请人中国科学院半导体研究所
发明人/设计人牛超群;刘智;成步文
公告日2020-02-11
公告号CN110780381A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

一种偏振分束器,包括SOI衬底层和波导层,其中,SOI衬底层,包括底部Si材料层和制作在底部Si材料层上的二氧化硅填埋层;波导层,制作在所述二氧化硅填埋层上方,包括输入波导、TM模式耦合波导和TE模式耦合波导;其中,输入波导包括底层波导和介质盖层;所述波导层通过将TE波和TM波分别限制在TE模式耦合波导和TM模式耦合波导,从而实现对所述输入波导中的不同偏振模式的光进行分离。本发明采用三波导结构的波导层,包括输入波导、TM耦合波导以及TE耦合波导,通过将TE和TM模式分别限制在两侧波导中,从而实现对输入波导中不同偏振态的分别耦合,消除输入波导残留模式对器件性能的影响。
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